Українська банерна мережа

Украинская Баннерная Сеть



	ПОШУК

АВТОРУ:

	Ім’ я користувача

	Пароль



Бажаєте зареєструватися? Забули пароль?

Жанри

Гоголівський ФОРУМ

AlmaNAH

Наша статистика

Авторів:	2698
Творів:	51625
Рецензій:	96047

Наша кнопка

Код:

Рецензії

Рецензія на наукову статтю Соломатина Н.М. "Логічні елементи ЕОМ"

(Рецензія на твір: ЯК ПИСАТИ РЕЦЕНЗІЮ, автор: Дон Педро)

Об’єктом дослідження наукової статті є логічні елементи на базі МОН структур.
Актуальність даної теми полягає у тому, що на даний час – час швидкого розвитку науково-технічного прогресу – існує потреба у створенні таких інтегральних схем, в яких є можливість реалізувати мінімальні розміри елементів з високим значенням виходу годних виробів, при цьому швидкодія таких схем має бути високою, використовувана потужність якомога меншою, а навантажувальна здатність великою.
Із відомих на цей час технологій застосуванню ЕСТЛ і ТТЛ заважала як підвищена розсіювана потужність, так і складна технологія. Технологія p-МОН при майже повній відповідності n-МОН мала ті ж характеристики, але швидкодія набагато нижча, через меншу рухливість носіїв струму типу "p" - дірок у 3 рази. Вона вимагала іншого джерела живлення і обов'язкового застосування схем перетворення рівня сигналів.
Технологія МОН є перспективною завдяки малому використанню потужності, широкому діапазону напруг живлення, а також малій чутливості виробів до опромінення -частинками. МОН інтегральні схеми мають високу швидкодію. Логічне проектування не дуже складне, так як може виконуватися незалежно від геометричних характеристик. Таким чином переваги інтегральних схем на основі n-МОН-структур можна виразити наступними характеристиками:
1) мініатюризація;
2) низьке споживання потужності;
3) високий відсоток виходу;
4) висока швидкодія;
5) високий рівень технологічності.
З використанням в МОН інтегральних схем кремнієвих затворів вдалося знизити споживану потужність та напругу живлення. Це досягається завдяки тому, що в випадку використання полікристалічного кремнію в якості затвору, дифузію в області стоку та витоку можна проводити по методу само суміщення, роль маски при цьому відіграє сам затвор. Шар полікристалічного кремнію, легований в процесі формування областей стоку та витоку, дозволяє створювати додаткові міжз’єднання.
Аналіз результатів досліджень і практичних розробок в області
МОН-технології показує, що в наш час МОН технологія має суттєві переваги в порівнянні з відомими технологіями (окрім КМОН-технологій в об’ємному кремнії).
Спеціалістами фірми Hughes Research Laboratories досліджені також можливості виготовлення польових транзисторів на МОН-структурах за допомогою іонної імплантації бора сфокусованим променем (методом FIB). Особливістю даного методу є те, що після звичайного процесу іонної імплантації (широким пучком через маску) проводиться допоміжне легування сфокусованим пучком іонів бора з дозами біля 1011см-2. У результаті експериментів встановлено, що кожна допоміжна доза іонів В+ (1011см-2) дає зміну порогової напруги на 19мВ для п-канальних польових транзисторів і на 48мВ – для р-канальних.
Метою наукової статті є дослідження доцільності використання МОН транзисторів для створення різних логічних елементів, які є основою багатьох інтегральних схем.
Основними задачами дослідження є аналіз різних технологій та обґрунтувати переваги МОН технології в створенні логічних елементів порівняно з існуючими. Також необхідно експериментально перевірити математичну модель МОН елементів, дослідити їх основні характеристики та розрахувати геометричні розміри. Нарешті, шляхом проведення експерименту перевірити працездатність електричної схеми і довести правдивість таблиці істинності логічних елементів.
Зважаючи на це, розглянуті в науковій статті Соломатина Н.М. “Логічні елементи ЕОМ” питання комплексного підходу щодо фізико-технологічного моделювання пристроїв, який грунтується на декомпозиції конструкції на сукупність областей, синтезі на їх основі моделей елементів та пристроїв у цілому. Це дозволяє підвищити ефективність проектування за рахунок використання в якості структурних складових моделювання областей елементів, формалізації взаємозв'язків між ними та спрощення процедури синтезу конструктивної структури мікроелектронних пристроїв, внаслідок наведення її відповідно до послідовного, паралельного або послідовно-паралельного з'єднання компонентів структурної схеми. Також розглянуто методику забезпечення технологічності МОН-структур мікроелектронних пристроїв шляхом врахування дефектності базових технологічних шарів під час вибору на етапі автоматизованого проектування конструктивно-технологічного варіанта, який гарантує необхідний відсоток виходу придатних.
В даній науковій статті розробляється базисний логічний елемент на основі n-МОН структур, а саме: проводиться розробка інвертора, який є складовою частиною цифрових інтегральних схем. Отже, виходячи з цього, можна визначити ринок потенційних споживачів, серед яких слід очікувати фірми та підприємства технічного спрямування, які займаються розробкою та виготовленням цифрових інтегральних схем.
Активними дослідженнями і розробками в області МОН-технологій зайняті фірми Hewlett Packard, GM/Hyghes, Asea Hafo, Integrated Circuit Systems, Control Data Corp (США); Toshiba, NTT (Японія) та ін. Тож основними конкурентами на ринку подібного товару є саме ці фірми. Тобто на ринку України основними конкурентами є лише відомі зарубіжні фірми, продукція яких дуже відома, але й не дешева. Враховуючи, що кількість конкурентів на ринку обмежена і ціна на подібний вид продукції висока, то для успішного продажу розробки можна встановити ціну трохи меншу ніж ринкова ціна, оскільки собівартість її нижча.
Новизна статті полягає в тому, що сучасний розвиток великих інтегральних схем здійснює перехід в субмікронний діапазон топологічних розмірів структур до 1 мкм.
Для збільшення ступеня інтеграції і прецизійності електричних параметрів великих схем при такому переході крайнє необхідне суміщення на одному кристалі аналогових біполярних, цифрових та потужних МОН інтегральних схем, що дає можливість подальшого розширення їх функціональних можливостей із збільшенням швидкодії при безпосередньому спряженні з мікропроцесорними, мікроконтролерними пристроями, з системами діагностування та обробки сигналів, з багатофункціональними сенсорними пристроями.
Така унікальна суміщена структура і технологія їх формування може бути також використана для виготовлення високо стабільних керуючих схем, вихідних каскадів швидкодіючих цифрових великих схем. Даний технологічний процес, оснований на кремнієвій епітаксійній структурі, що дозволяє сумістити всі види технологій формування транзисторів:біполярну, n-, p- і інші МОН технології польових транзисторів та польові транзистори з керуючим p-n-переходом.
На підставі вищезгаданого вважаю, що представлена наукова стаття має наукове і практичне значення для технічного розуміння технологій формування МОН транзисторів. Тому вважаю, що МОН транзистори являються уніполярними приладами, роботу яких засновано на використанні основних носіїв заряду. Процеси інжекції в МОН транзисторах не використовуються. Додатній потенціал затвору індукує в напівпровіднику тим більший питомий заряд, чим більша ємність між металом затвора і напівпровідником.
Автор наукової статті Соломатин Н.М. “Логічні елементи ЕОМ” повністю розкрив функціональне значення МОН транзисторів і їх переваги над іншими транзисторами, а також широке використання у світі.

Додати свій відгук!

Згенеровано за 0.04210901260376 сек.

Усі права застережено.
Всі права на сайт належать ТОВ «Джерела М»
Авторські права на твори та рецензії належать їх авторам.
Дизайн та програмування KP-design

Реклама: http://gkpartner.com/ асбестовая труба.

Що почитати